高纯硒

 我公司生产的99.99%以上的高纯硒，已应用在CuInGaSSe太阳能电池材料；同时广泛应用在电子材料上，如硒半导体、硒整流器、激光打印机用硒鼓等方面。 CIGSSe薄膜太阳能电池中的薄膜主要有5种材料合成，其中高纯硒的含量在90%以上。 CIGSSe薄膜太阳能电池原材料避开了紧缺的晶体硅，它的薄膜厚度只有2微米（晶体硅电池200微米），材料消耗很少。CIGSSe薄膜材料电池对可见光的吸收系数是其他薄膜电池中*高的，从而成为转换效率*高的薄膜电池，它的材料成本只有晶体硅电池的一半，而能耗不到晶体硅电池的三分之一。 在规模化生产的太阳能电池中，CIGSSe薄膜太阳电池的同功率组件发电量是*高的，也就是能量回收期*短。它的回收期只有一年，非晶硅太阳电池1年半，晶体硅是2年以上。CIGSSe薄膜太阳电池能适应高宇宙射线辐射，特殊气象条件等恶劣环境，长期稳定性是各种电池中******的。CIGSSe薄膜太阳能电池使用过程中热斑效应小，在阴天、太阳初升或西斜等小角度入射等情况下仍然具有良好的发电性能，而晶体硅电池在弱光或光线小角度入射情况下发电能力急剧下降。

思达牌99.999%硒锭	思达牌99.999%硒粒
思达牌99.999%硒粉	思达牌99.99%硒粉

高纯硒(99.99%～99.999%) （1）用于远红外玻璃、光学镜片等领域： a.杂质含量（不大于100ppm）： Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni 1 2 2 0.5 0.5 2 2 5 3 10 5 0.5 Mn Fe S Sn As CL、Br           5 9 10 5 20 1 0           b、目数：200目 c、包装：真空封装。 （2）用于化合物半导体材料、太阳能光伏电池等领域 ： a、杂质含量（不大于50ppm）： Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni 0.06 0.1 0.06 0.2 0.2 0.5 0.2 0.4 0.1 0.5 0.3 0.5 Mn Fe S Si Ti In Sb B Sn As CL Br 0.2 1 2 1 0.3 0.005 0.2 0.3 3 1 0.5 0.5 b、目数：200目～325目。 c、包装：真空封装。 （3）用于电子材料等领域： a、杂质含量（不大于10ppm）： Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni 0.05 0.1 0.06 0.2 0.14 0.5 0.2 0.4 0.1 0.5 0.3 0.5 Mn Fe S Si Ti In Sb B Sn As CL Br 0.2 1 2 0.5 0.3 0.005 0.2 0.3 0.3 1 0.5 0.5 b、目数：325目～1000目。 c、包装：真空封装。